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晶体多晶层淀积外延层电子工业加工检测金相试样切割机外延生长 外延生长就是在基片上淀积一层外延层，此外延层的化学成分或杂质含量不同于基片，不过仍保留着原基片的晶相结构。要获得符合器件要求的外延层，外延设备必须能够精确控制各种参数，这就是说，在将硅化合物引入反应器时，必须严格控制温度分布、携带气流、杂质气流和浓度。控制好这些参数，含硅化合物在加热的基片表面上产生热分解，淀积一层单晶硅外延层。淀积层掺杂量的精确控制是通过对引入气流中杂质类型和浓度的控制来实现的。这样生长的外延层，其杂质分布是均匀的，不同于扩散过程产生的杂质浓度分布。外延生长的参数有：外延层电阻率、外延层厚度以及晶体的完整度。外延晶体内不能有缺陷，否则会严重影响以后的加工。外延层缺陷之一是小斑点。这些小斑点是由于无规则的核化引起的，高出外延层的整体，会给光刻工序造成困难。不过，对某些结构来说，多晶层淀积就可以了，一般用于非半导体基片，如淀积在二氧化硅上。多晶材料可以在外延生长期间用来提供掩蔽，因为它的腐蚀率与单晶外延材料不同。外延层最常见的用途是给集成电路的制造提供一个衬底。如果外延层具有合适的厚度和电阻率，以后它就成为晶体管的集电区。 如果晶体管要求一个低饱和电阻，那末，就需要一个电导较高的集电区。解决的办法有两个：一种方法是淀积二次外延层，优质次的杂质浓度应高于第二次，一般具有一个类似于标准功能块器件所要求的掺杂量。另一种方法是在扩散之后再淀积一层外延层；扩散方法还有利于在要求高电导率的特定图形上作选择性扩散。
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