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金相试样切割机测量晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料 |
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金相试样切割机测量晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料 根据载流子俘获模型,这些结果是可以理解的。在低掺杂浓度下,高电阻率是由于晶粒间界俘获了大部分载流子所引起的.随着掺杂浓度增加,多数的俘获态将被填满.于是,晶粒间界俘获载流子的能力将接近饱和。当注入的剂量进一步增加时,晶粒间界势垒将降低,正如所观察到的那样,引起电阻率急骤地减小。掺杂浓度进一步墩加,将导致电阻率进一步降低,接近单晶硅的电阻率。因为晶粒间界俘获软流子的数目限定了电导率,所以对于晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料,电阻率和临界掺杂浓度应较低。 我们以前的工作,研究了LPCVD硅薄膜结构,指出在580℃下生长的LPCVD薄膜开始是非晶态的,非常不稳定,甚至在中等沮度下退火也要迅速结晶。 退火样晶的透射电子全自动精密金相切割机照片显示,开始呈非晶态的再结晶薄膜,同在620℃下生长的开始呈多晶态作同样退火的薄膜相比,有较大的晶粒.基于这个事实和上述模型,不同类型薄胶电性能的差异,可以直接地同每类薄膜的晶粒大小联系起来.
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