- 金相切割机-金相试样切割机
- QG-1金相试样切割机
- Q-2金相试样切割机
- QG-2岩相切割机
- Q-3A金相试样切割机
- QG-4A金相试样切割机
- QG-5A金相试样切割机
- QG-100金相试样切割机
- QG-100Z自动金相试样切割机
- QG-300三轴金相试样切割机
- ZQ-40无级双室自动金相试样切割机
- ZQ-50自动精密金相试样切割机
- ZQ-100/A/C自动金相试样切割机
- ZQ-150F无级三轴自动金相试样切割机
- ZQ-200/A无级三轴金相试样切割机
- ZQ-300F无级三轴自动金相试样切割机
- ZQ-300Z自动金相试样切割机
- ZD-500大型液压伺服金相试样切割机
- 金相磨抛机-金相试样磨抛机
- MPD-1金相试样磨抛机(单盘无级)
- MPD-2金相试样磨抛机(双盘单控)
- MP-3A金相试样磨抛机(三盘无级)
- MP-2A金相试样磨抛机(双盘无级)
- MPD-2A金相试样磨抛机(双盘无级)
- MPD-2W金相试样磨抛机(双盘无级)
- ZMP-1000金相试样磨抛机(单盘8试样)
- ZMP-2000金相试样磨抛机(双盘8试样)
- ZMP-3000 智能化金相试样磨抛机
- ZMP-1000ZS智能薄片自动磨抛机
- BMP-1000 半自动金相试样磨抛机
- BMP-2000 半自动金相试样磨抛机
- 金相镶嵌机-金相试样镶嵌机
- XQ-2B金相试样镶嵌机(手动)
- ZXQ-2金相试样镶嵌机(自动)
- AXQ-5金相试样镶嵌机(自动)
- AXQ-50金相试样镶嵌机(智能,一体机)
- AXQ-100金相试样镶嵌机(智能,一体机,双室)
- 金相抛光机-金相试样抛光机
- P-1单盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- P-1A单盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- P-2立式双盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- P-2A柜式双盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- LP-2双盘立式金相试样抛光机(Φ200,380V)
- PG-2A双盘柜式金相试样抛光机(Φ220,380V)
- PG-2C双盘立式金相试样抛光机(Φ220,380V)
- P-2T双盘台式金相试样抛光机(Φ220,380V)
- 金相预磨机-金相试样预磨机
- YM-1单盘金相试样预磨机(Φ200,380V)
- YM-2双盘金相试样研磨机(Φ230,380V)
- YM-2A双盘金相试样预磨机(Φ230,380V)
金相磨平机-金相试样磨平机
MPJ-35柜式金相试样磨平机(350*40*40)
MPJ-25台式金相试样磨平机(250*30*32)
MY-1光谱砂带磨样机(W100*L920)
MY-2A双盘砂带磨样机
- 进口金相制样设备
- 进口金相切割机
- 进口金相磨抛机
- 进口金相镶嵌机
- 进口金相显微镜
- 金相显微镜
- 4XB双目金相显微镜
- AMM-8/D/P/T/ST三目倒置金相显微镜
- 4XC/D/P/T/ST三目卧式金相显微镜
- AMM-200/D/P/T/ST三目正置金相显微镜
- 金相技术及金相耗材
- 金相案例
- 金相技术
- 金相镶嵌料
- 金相切割砂轮片
- 金相研磨膏
- 金相砂纸
- 金相抛光粉
- 金相抛光织物
- 公司简介
- 公司理念
- 联系我们
- 售后服务
- 金相新闻
- 金相友情链接
- 金相试样抛光机 洛氏硬度计
- 金相试样抛光机 万能试验机
- 电子试验机 金相试样抛光机
- 全自动精密抛光机 金相试样抛光机
- 圆度仪 轮廓仪 自准直仪
- 自准直仪 硬度计
- 生物显微镜 金相显微镜
- 金相试样抛光机 影像测量仪
- 上海研润光机科技有限公司前身是国家仪器技
- 术研究所,成立于2005年,是一家以研发、
- 生产、非标定制自动化生产检测设备,计算机
- 软件开发为主的高新技术企业。主导产品:材
- 料仪器、光学仪器、自动化生产检测设备等。
|
|
|
晶体多晶层淀积外延层电子工业加工检测金相试样磨抛机 |
本站文字和内容版权为上海研润光学金相试样磨抛机金相试样磨抛机制造厂所有http://www.cnnoet.net;转载请注明出处 |
晶体多晶层淀积外延层电子工业加工检测金相试样磨抛机外延生长 外延生长就是在基片上淀积一层外延层,此外延层的化学成分或杂质含量不同于基片,不过仍保留着原基片的晶相结构。要获得符合器件要求的外延层,外延设备必须能够精确控制各种参数,这就是说,在将硅化合物引入反应器时,必须严格控制温度分布、携带气流、杂质气流和浓度。控制好这些参数,含硅化合物在加热的基片表面上产生热分解,淀积一层单晶硅外延层。淀积层掺杂量的精确控制是通过对引入气流中杂质类型和浓度的控制来实现的。这样生长的外延层,其杂质分布是均匀的,不同于扩散过程产生的杂质浓度分布。外延生长的参数有:外延层电阻率、外延层厚度以及晶体的完整度。外延晶体内不能有缺陷,否则会严重影响以后的加工。外延层缺陷之一是小斑点。这些小斑点是由于无规则的核化引起的,高出外延层的整体,会给光刻工序造成困难。不过,对某些结构来说,多晶层淀积就可以了,一般用于非半导体基片,如淀积在二氧化硅上。多晶材料可以在外延生长期间用来提供掩蔽,因为它的腐蚀率与单晶外延材料不同。外延层***常见的用途是给集成电路的制造提供一个衬底。如果外延层具有合适的厚度和电阻率,以后它就成为晶体管的集电区。 如果晶体管要求一个低饱和电阻,那末,就需要一个电导较高的集电区。解决的办法有两个:一种方法是淀积二次外延层,***/次的杂质浓度应高于第二次,一般具有一个类似于标准功能块器件所要求的掺杂量。另一种方法是在扩散之后再淀积一层外延层;扩散方法还有利于在要求高电导率的特定图形上作选择性扩散。
|
合作站点:
合作站点:
合作站点:
合作站点:
|
|