- 金相切割机-金相试样切割机
- QG-1金相试样切割机
- Q-2金相试样切割机
- QG-2岩相切割机
- Q-3A金相试样切割机
- QG-4A金相试样切割机
- QG-5A金相试样切割机
- QG-100金相试样切割机
- QG-100Z自动金相试样切割机
- QG-300三轴金相试样切割机
- ZQ-40无级双室自动金相试样切割机
- ZQ-50自动精密金相试样切割机
- ZQ-100/A/C自动金相试样切割机
- ZQ-150F无级三轴自动金相试样切割机
- ZQ-200/A无级三轴金相试样切割机
- ZQ-300F无级三轴自动金相试样切割机
- ZQ-300Z自动金相试样切割机
- ZD-500大型液压伺服金相试样切割机
- 金相磨抛机-金相试样磨抛机
- MPD-1金相试样磨抛机(单盘无级)
- MPD-2金相试样磨抛机(双盘单控)
- MP-3A金相试样磨抛机(三盘无级)
- MP-2A金相试样磨抛机(双盘无级)
- MPD-2A金相试样磨抛机(双盘无级)
- MPD-2W金相试样磨抛机(双盘无级)
- ZMP-1000金相试样磨抛机(单盘8试样)
- ZMP-2000金相试样磨抛机(双盘8试样)
- ZMP-3000 智能化金相试样磨抛机
- ZMP-1000ZS智能薄片自动磨抛机
- BMP-1000 半自动金相试样磨抛机
- BMP-2000 半自动金相试样磨抛机
- 金相镶嵌机-金相试样镶嵌机
- XQ-2B金相试样镶嵌机(手动)
- ZXQ-2金相试样镶嵌机(自动)
- AXQ-5金相试样镶嵌机(自动)
- AXQ-50金相试样镶嵌机(智能,一体机)
- AXQ-100金相试样镶嵌机(智能,一体机,双室)
- 金相抛光机-金相试样抛光机
- P-1单盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- P-1A单盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- P-2立式双盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- P-2A柜式双盘金相试样抛光机(Φ200,380V)
- LP-2双盘立式金相试样抛光机(Φ200,380V)
- PG-2A双盘柜式金相试样抛光机(Φ220,380V)
- PG-2C双盘立式金相试样抛光机(Φ220,380V)
- P-2T双盘台式金相试样抛光机(Φ220,380V)
- 金相预磨机-金相试样预磨机
- YM-1单盘金相试样预磨机(Φ200,380V)
- YM-2双盘金相试样研磨机(Φ230,380V)
- YM-2A双盘金相试样预磨机(Φ230,380V)
金相磨平机-金相试样磨平机
MPJ-35柜式金相试样磨平机(350*40*40)
MPJ-25台式金相试样磨平机(250*30*32)
MY-1光谱砂带磨样机(W100*L920)
MY-2A双盘砂带磨样机
- 进口金相制样设备
- 进口金相切割机
- 进口金相磨抛机
- 进口金相镶嵌机
- 进口金相显微镜
- 金相显微镜
- 4XB双目金相显微镜
- AMM-8/D/P/T/ST三目倒置金相显微镜
- 4XC/D/P/T/ST三目卧式金相显微镜
- AMM-200/D/P/T/ST三目正置金相显微镜
- 金相技术及金相耗材
- 金相案例
- 金相技术
- 金相镶嵌料
- 金相切割砂轮片
- 金相研磨膏
- 金相砂纸
- 金相抛光粉
- 金相抛光织物
- 公司简介
- 公司理念
- 联系我们
- 售后服务
- 金相新闻
- 金相友情链接
- 金相试样抛光机 洛氏硬度计
- 金相试样抛光机 万能试验机
- 电子试验机 金相试样抛光机
- 全自动精密抛光机 金相试样抛光机
- 圆度仪 轮廓仪 自准直仪
- 自准直仪 硬度计
- 生物显微镜 金相显微镜
- 金相试样抛光机 影像测量仪
- 上海研润光机科技有限公司前身是国家仪器技
- 术研究所,成立于2005年,是一家以研发、
- 生产、非标定制自动化生产检测设备,计算机
- 软件开发为主的高新技术企业。主导产品:材
- 料仪器、光学仪器、自动化生产检测设备等。
|
|
|
集成电路图形是由光刻技术实现-电路板检测金相试样镶嵌机 |
本站文字和内容版权为上海研润光学金相试样镶嵌机金相试样镶嵌机制造厂所有http://www.cnnoet.net;转载请注明出处 |
集成电路图形是由光刻技术实现-电路板检测金相试样镶嵌机光刻 集成电路的图形是由光刻技术实现的。光刻就是把母版上的电路图形转移到晶片的过程。母版是用透明石英板制作的,其上含有已制作好的电路图案,其中不透明的区域是氧化铁紫外吸收层,如图5.7a所示。母版是这样制作的:先由计算机使用专用软件把版图数据转换为图形,然后在石英板(其表面有一层氧化铁薄膜)上均匀涂覆一层抗蚀剂,再根据电路图形用电子束对抗蚀剂进行扫描曝光。抗蚀剂是一种有机高分子材料,对电子束的作用很敏感,可在电子束的作用下发生化学变化,称为曝光。曝光后,将石英板放入特定的化学溶液中进行腐蚀,便可得到特定的图形。 抗蚀剂有两种类型:一种是正抗蚀剂,另一种是负抗蚀剂。若使用正抗蚀剂,则在腐蚀过程中曝光的部分被去除、未曝光的部分被保留;若使用负抗蚀剂,则未曝光的部分被去除,而曝光的部分被保留下来。不管使用哪种抗蚀剂,经过腐蚀后,总有某些部分的氧化铁表面被暴露出来,然后用等离子体刻蚀方法将这部分氧化铁薄膜去除,这样便在母版上形成了光刻所需的图形。一块母版往往只含有器件或电路的一部分图案,因此一个器件或一块集成电路往往要用到多块光刻母版、经过多次光刻才能***终完成整个制作过程。通常一块集成电路要用十几块甚至更多的母版才能完成制作。光刻过程就是把母版上的图形转移到晶片上、并在晶片上形成相应图形的过程。光刻过程中也使用抗蚀剂,这种抗蚀剂通常是一种对紫外光敏感的有机材料,称为光致抗蚀剂,或者称为光刻胶。在Si片表面涂覆一层光刻胶,厚度大约为0.5哪,放入甩胶机让Si片以3000rpm(转份钟)的转速高速旋转,使光刻胶在Si片表面各处涂布均匀。光刻胶分为正胶和负胶两种;如果使用正胶,则受到紫外光照射的部分在后续的腐蚀过程中可被腐蚀掉,得到的图形与母版的图形相同; 如果使用负胶,则受到紫外光照射的部分在腐蚀过程中可被保留下来,得到的图形与母版上的图形相反。正胶的分辨率较高,若采用波长为0.365μm的紫外光源进行曝光,则可得到0.25μm的线宽,所以通常使用正胶。受到曝光的光刻胶发生酸化,用NaOH溶液可将其去除。这样,经过曝光和腐蚀,就把母版上的图形转移到了Si片上。紧接着,将Si片放入烘箱,在大约1250C的温度下作老化处理,以加固保留下来的光刻胶、利于下一步工艺处理。例如,接下来可通过图形窗口进行离子注入,或者将窗口内的某层材料用等离子体刻蚀方法去除。
|
合作站点:
合作站点:
合作站点:
合作站点:
|
|